在半超導體製造完整過程中，晶圓的進行除去至關十分重要（yào），其（qí）主要原因在於任意一種相關情況無窮小的造成汙染物都或許產生相應作用機件（jiàn）的使用性能和良（liáng）率。依據有（yǒu）所區別的造成汙染物種（zhǒng）類和進行除去（qù）實際需要，晶圓進行（háng）除去劑能夠進（jìn）行劃（huá）成幾大類，分別按照自身情況具備（bèi）有所區別的進行除去實（shí）際效果。

1. 堿性進行除去劑

麵向造成汙染物：堿性進行除去劑重點用於引起非金屬液化物、矽酸（suān）鹽及一部分考古造成汙染物。它們在引起（qǐ）要樣兒造成（chéng）汙染和液化（huà）層層麵露一手需要。

進行除去（qù）實際效果：堿性進行除去劑可以切實有效需要矽要樣兒的（de）液化層，增強後續生產工藝的值得信賴性和保持一致（zhì）性，能夠引起要樣兒的關於一層（céng）地膜，保（bǎo）證晶圓的著名。

2. 酸性進（jìn）行除去（qù）劑

麵（miàn）向造成（chéng）汙染物：酸性進行除去劑重點用於引起考古造成汙染物、脂肪、合（hé）成樹脂和一部分輕輕的非金屬離子化。

進行除去實際效果：上述這些進行除（chú）去劑能切實有效引起考古物和造成汙染（rǎn）物，可用於大致進行除去步子。特別是在這種情況下在進行除去引起光刻膠留（liú）下時，酸性進行除去劑具備更加很大主要優（yōu）勢。

3. 酸堿值進行除去劑

麵向造成汙染物：酸堿值進行除去劑比較合適引起輕輕的造成汙染物和要樣兒留下物。

進行除去實際效果：它們對（duì）晶圓要樣兒溫暖，可以在末尾衝突步子中（zhōng）采用，防止對晶圓導致破壞，與此同時切實（shí）有效（xiào）引起化學（xué）品留下。

進行除去劑挑選更與絕對

造成汙染物種類：先掌握晶圓要樣兒（ér）重點造成汙染物的阿彌陀佛，以（yǐ）挑（tiāo）選麵（miàn）向性強的（de）進行除去劑。

進行除去步子：有所區別的生產工藝（yì）步子或許有必要有所區別的進行除去劑結合，以（yǐ）實（shí）現（xiàn）適（shì）宜實際效果。

材料（liào）配合（hé）性：保證進行除去劑進行不肯對晶圓材料導致破壞，防（fáng）止產生相應作用接下來生產工藝。

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